Samsung начинает производство 4-гигабитных чипов памяти DDR3 на основе 20-нм техпроцесса

19 Марта, 2014 19:54
Теги: Samsung , DDR3, NAND Flash
Компания Samsung Electronics объявила о серийном производстве передовых модулей памяти DDR3, созданных на основе 20-нм техпроцесса. Новинки предназначены для использования в широком диапазоне вычислительных приложений.

При создании чипов DDR3 DRAM была использована доступная иммерсионная  ArF-литография (литография с использованием эксимерных лазеров на фториде аргона, работающих в диапазоне жесткого ультрафиолета). Подобные технологии производства позволяют создавать передовые 4-гигабитные чипы памяти на основе 20-нм техпроцесса, тем самым расширяя диапазон DRAM-моделирования.

Производство чипов памяти DRAM, в которых каждая ячейка состоит из связанных между собой транзистора и конденсатора, является намного более сложным процессом  по сравнению с производством чипов NAND Flash, в ячейках которых находится по одному транзистору. Для продолжения выпуска передовых модулей DRAM-памяти  Samsung усовершенствовал концепцию дизайна и производства, использовал технологии двойного шаблона и  осаждения атомных слоев.

Усовершенствование технологии двойного шаблона стало новой вехой в производстве чипов памяти, способствуя появлению модулей DDR3 на основе 20-нм техпроцесса. В свою очередь, чипы памяти, использующие  фотолитографические технологии, станут основой для следующего поколения DRAM-продуктов 10-нм класса. К тому же, при производстве чипов памяти DDR3 на основе 20-нм техпроцесса были успешно созданы однородные ультратонкие диэлектрические слоя клеточных конденсаторов, что привело к значительному увеличению производительности каждой ячейки.

Применение новых технологий при создании модуля памяти DDR3 DRAM на основе 20-нм техпроцесса привело к 30%-му повышению эффективности производства по сравнению с выпуском предыдущего поколения чипов памяти DDR3 на основе 25-нм техпроцесса, а также к повышению эффективности более чем вдвое – по сравнению с выпуском чипа DDR3 30-нм класса.

Помимо этого, новые 4-гигабитные чипы памяти DDR3 позволяют экономить до 25% потребляемой энергии по сравнению с равноценными модулями памяти, созданными на основе 25-нм техпроцесса. Такое усовершенствование компонентов является основой для разработки самых современных «зеленых» решений для мировых компаний.

Согласно данным рыночного исследования аналитического агентства Gartner, объем глобального рынка памяти DRAM вырастет с $35,6 млрд в 2013 году до $37,9 млрд в 2014 году.

Комментарии:

НОВЫЕ СТАТЬИ

Темная сторона искусственного интеллекта
Алексей Лукацкий 18 Августа 11:38