Intel зробила серйозний крок до 1-нм технологічного процесу
Компанія Intel успішно здійснила процес літографування НВІС за технологічними нормами Intel 20A і Intel 18A, де числом з літерою А позначається гранична роздільна здатність (мінімальна відстань між сусідніми напівпровідниковими елементами в ангстремах, де 10 Å = 1 нм. Таким чином американський чипмейкер наближається до 1-нанометрового технологічного процесу. Про це заявила Руі Ванг (Rui Wang), старший віце-президент Intel China.
Виробничий процес Intel 20A містить нововведення в порівнянні з технологіями TSMC, такі як транзистори RibbonFET з окружними затворами та нова схема подачі живлення PowerVia на логічні елементи.